国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么
波长为193nm(纳米)、分辨率≤65nm、套刻≤8nm……日前,工信部的一份文件,再次把国产光刻机推入公众视野,甚至传出国产DUV光刻机突破8nm工艺的“重磅消息”。
9月9日,工信部旗下微信公众号“工信微报”推送了工信部于9月2日签发的关于印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》的通知文件,通知文件中的“电子专用装备”的第一项即“集成电路生产装备”,明确提到氟化氪(KrF)光刻机和氟化氩(ArF)光刻机的技术指标,尤其是氟化氩光刻机,文件标明其套刻精度≤8nm。
记者注意到,该文件一经发布后,关于国产光刻机取得大突破的言论“喜大普奔”,还有人把“套刻≤8nm”误认为8nm光刻机。事实上,套刻精度指的是每一层光刻层之间的对准精度,而≤8nm的套刻精度并不一定代表能制造8nm工艺的芯片。
“光刻机套刻小于8纳米,逻辑上对应的区间,也能上到成熟区间,甚至更高一些。但别指望它覆盖手机用的处理器工艺,主要还是面向成熟区间。”半导体行业资深观察人士王如晨对记者表示,工信部文件表格里不止氟化氩光刻机,还有配套设备,是个小生态,“看工艺节点,都侧重成熟区间,尤其28纳米”。
制造更小线宽芯片的办法
需要指出的是,早在6月20日,工信部就发布了《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》公示,“集成电路生产设备”一栏当中就有一款氟化氪光刻机和一款氟化氩光刻机。
随后在9月,工信部再次发布通知文件,这是对外正式公布。依照不同光源,光刻机可分为UV(紫外)、DUV(深紫外)以及EUV(极紫外)三大类型。而通知文件中的氟化氪光刻机和氟化氩光刻机,两者均属于第四代DUV光刻机。
目前来说,光刻机共经历了五代发展,随着波长从最早的436nm到最新的13.5nm,芯片制程也逐渐达到接近极限的3nm。
光刻机性能如何,有两个关键所在:一是光刻机波长,二是物镜系统的数值孔径(NA)。根据知名公式——瑞利判据,即CD=k1*λ/NA。CD代表线宽,即芯片可实现的最小特征尺寸;λ代表光刻机使用光源的波长,NA指的是光刻机物镜的数值孔径,也就是镜头收集光的角度范围;k1是一个系数,取决于芯片制造工艺有关的众多因素。
根据这个公式,如果要制造更小线宽的芯片,即CD值越小,可使用波长更短的光源、更大数值孔径的物镜和降低k1值这些办法。
比如荷兰半导体设备制造商阿斯麦(ASML)的EUV光刻机,光源波长只有13.5nm,同时ASML也在不断提高光刻机的孔径,以用于7nm甚至更高工艺制程芯片的制造。
而在光刻机物镜和晶圆之间加入超纯水,把水作为介质,不仅变相地把光源波长等效缩短,也变相地提升了NA数值。而这种加入了超纯水的光刻机被称为浸没式光刻机,由此DUV光刻机也能达到光学分辨率的天花板。
然而,浸没式光刻机理论上容易,但工程实现相当麻烦。有着“浸润式光刻机之父”之称的林本坚,在台积电任职期间,单单一个浸液系统,该团队就耗时2年,修改了7—8回才实现突破。业内人士称,浸没式光刻机的研发难度之高,相当于在月球上用枪打到地球上的一个目标。
分辨率≤65nm、套刻≤8nm是什么水平
除了以上方法外,多重曝光也是提升光刻机制造工艺的一种技术。比如ASML浸润式DUV光刻机NXT:1980的分辨率≤38nm,却可以支撑台积电第一代7nm工艺的生产,靠的就是多重曝光技术。
作为光刻机的一个重要技术指标,套刻精度通常指的是“多重曝光能达到的最高精度”,它决定了每次曝光之间物理位移的最小误差,直接影响着多层曝光工艺的质量和效率。随着工艺节点不断缩放至14nm、10nm、7nm,多重曝光成为必要手段。
那么,通知文件中的ArF光刻机(光源波长193nm,分辨率≤65nm,套刻≤8nm)极限能做到多少纳米制程?处于什么水平?极限制程能达到多少纳米?
综合来看,这种规格的国产ArF光刻机性能与ASML于2015年二季度出货的ArF光刻机TWINSCAN XT:1460K(分辨率为≤65nm,套刻精度<5nm)较为接近。而按套刻精度与量产工艺1∶3的关系,这个光刻机理论上可量产28nm工艺的芯片。
不过,业内人士认为,考虑到套刻精度误差更大等原因,该国产ArF光刻机可能还到不了“28nm光刻机”的分辨率要求。总体来说,这次曝光的国产DUV光刻机,应该是之前90nm分辨率的国产光刻机的改良版,能用于55—65nm的成熟制程芯片制造需求。
“工信部表格里不止氟化氩光刻机,还有配套设备,是个小生态。看工艺节点,都侧重成熟区间,尤其28纳米。”王如晨表示,如果规模化推广,FAB(晶圆厂)成功量产,中国除了手机等场景外,有更大或者说真正意义上的自主性,“绝大部分民用、工业、国防的场景足够了。”
国产光刻机向前迈了一小步
光刻机作为半导体制造的核心设备,其技术水平直接决定了芯片的性能和品质。长期以来,我国在光刻机领域一直受制于人,高端设备主要依赖进口。
相比之前90nm分辨率的国产光刻机,新的65nm分辨率已经有了一定的进步。当然,我们依然要清醒认识到国产光刻机与国外先进水平之间的差距。
需要指出的是,通知文件所披露的这款ArF光刻机依然是干式DUV光刻机,而非更先进的浸没式DUV光刻机(也被称为ArFi光刻机)。
对于国产光刻机厂商来说,从干式DUV转向浸没式DUV这一过程还有很多难题需要解决,不仅仅是技术方面。ASML尽管在2006年就推出了首台量产的浸没式DUV光刻机XT:1700i,但却是在2010年代前后才依靠浸没式DUV光刻机打败了当时的光刻机两大巨头佳能和尼康,确立了霸主地位。
ASML财报显示,2023年中国成为该公司的第二大市场。2024第一季度和第二季度,ASML中国地区销售额占比都是49%,第二季度以销售额论,ArFi占比50%,超过EUV的31%。
其实,ASML最先进的EUV光刻机早已被完全禁止出口中国;去年10月,美国又更新了先进芯片制造技术出口管制,将限制出口中国的光刻机范围扩大,即扩大至采用多重曝光能够实现先进制程能力的光刻机。
9月6日,荷兰政府宣布,扩大光刻机出口管制范围至浸没式深紫外光刻设备,与美国的管制“对齐”,ASML如果要向中国出口TWINSCAN NXT:1970i和1980i型号浸润式DUV光刻系统,需要先向荷兰政府申请出口许可证。
业内人士认为,ASML进一步收紧先进DUV的出口,是驱动国产最新光刻机信息公布的因素之一。对此,王如晨表示:“赶在美国胁迫荷兰政府加了一个出口许可关而ASML配合发声后,本就算是做了一次侧面的回击。”
申万宏源证券认为,官方披露核心设备进展提振市场信心,国产光刻机相关产业链受益,国内晶圆厂扩产自主可控可期,国产半导体设备整体受益。中芯国际、北方华创、中微公司、拓荆科技、微导纳米、上海微电子等产业链企业,都将从国产65nm的ArF光刻机中得到发展机会。